檢索結果：共34筆資料 檢索策略： "Meng-Lin Tsai".ecommittee (精準) and cdept.raw="材料科學與工程系"
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石墨烯僅有原子級的厚度且不佔有體積，比表面能相當高，屬於半導體材料及具有極高的載子遷移率，氣體吸附的電荷轉移靈敏度高，對於製作成元件同時兼具傳輸層與感測層的特殊性質，對於各種分子的吸附具有相當的優勢…
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目前LED基板使用為藍寶石基板，而氮化鎵與藍寶石基板間存在著高晶格不匹配度，致使氮化鎵薄膜內部產生 109~1010 cm2 之貫穿型差排缺陷，嚴重影響到後續 LED 元件光電性能。圖案藍寶石…
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本論文，對半導體奈米材料研究分為三個部分，分別為InSb 奈米線之金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, M…
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本研究以類石墨型氮化碳(Graphitic carbon nitride, g-C3N4)薄膜為基礎，應用於電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory, RRAM)之…
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本研究以二硫化錸(Rhenium disulfide, ReS2)薄膜為介電層應用於電阻式記憶體，製作Mo/ReS2/Re及Ag/ReS2/Re元件並比較其在電性、傳導機制與切換機制等方面的差異…
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本論文研究的奈米材料為二維的GaSe奈米帶。第一部分，為GaSe奈米帶的製備，首先，以原子百分比Ga:Se=55:45配置Ga金屬錠及Se粉末總共5 g接著放入40 cm的石英管內，於抽氣真空的狀態…